东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率_创新

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代^[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性^[2]之间的平衡^[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。

应用：

- 通信设备电源

- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）

特性：

- 优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）

- 卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号			TPH9R00CQH
绝对最大额定值	漏源电压VDSS（V）		150
	漏极电流（直流） ID（A）	@Tc＝25℃	64
	结温Tch（℃）		175
电气特性	漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS＝10V	9.0
		@VGS＝8V	11
	总栅电荷（栅极-源极＋栅极-漏极） Qg典型值（nC）		44
	栅极开关电荷Qsw典型值（nC）		11.7
	输出电荷Qoss典型值（nC）		87
	输入电容Ciss典型值（pF）		3500
封装	名称		SOP Advance	SOP Advance（N）
	尺寸典型值（mm）		5.0×6.0	4.9×6.1
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注：

[1] 截至2022年3月的东芝调查。

[2] 栅极开关电荷和输出电荷。

[3] 与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。

如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：

TPH9R00CQH

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如需了解相关东芝MOSFET的更多信息，请访问以下网址：

MOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

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G2模型

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html

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TPH9R00CQH

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

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