Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件(SMD),采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势,并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此,这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源,或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。


(相关资料图)

对于需要SuperGaN平台的额外热性能的电源系统,Transphorm另提供采用经优化Performance封装的SMD。无论何种封装,所有Transphorm器件都具有易于设计和驱动的特点,因为d-mode配置使用的是与GaN HEMT配对的低电压Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用标准的现成品控制器和/或驱动器,进一步提升了Transphorm系列产品的卓越驱动性和可设计性。

Transphorm业务拓展和营销高级副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm持续生产强大的GaN器件组合,覆盖了当今最广泛的功率范围。通过推出这些行业标准封装,我们进一步巩固了我们的低功率策略,而在此前,我们刚刚发布了与Weltrend半导体共同开发的SiP封装。现在客户可以选择如何利用SuperGaN的优势,不论是通过Performance封装、引脚对引脚e-mode兼容的行业标准封装还是通过系统级封装。”

SuperGaN插拔式替换的优势

经证明,用SuperGaN d-mode FET替换e-mode器件能够降低传导损耗,提供更高的性能和更低的工作温度,从而实现更长的寿命可靠性。这是由于与e-mode GaN常闭式设备相比,d-mode GaN常闭式设备从根本上具有内在的优势。最近的一次直接比较便可为此提供证明,该测试用72 mΩ SuperGaN技术替换了280W游戏笔记本电脑充电器的50 mΩ e-mode设备:https://bit.ly/diraztbISP。

在充电器分析中,SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作(而e-mode需要电平转换),且温度更低。SuperGaN的电阻温度系数(TCR)约比e-mode低 25%,有助于降低传导损耗。此外,外围元件数量减少了20%,表明原材料成本也更低。

行业标准的SMD系列产品

Transphorm的行业标准PQFN设备清单如下:

器件

导通电阻(毫欧)

封装

TP65H070G4LSGB

72

PQFN88

TP65H150BG4JSG

150

PQFN56

TP65H150G4LSGB

150

PQFN88

TP65H300G4JSGB

240

PQFN56

TP65H300G4LSGB

240

PQFN88

TP65H480G4JSGB

480

PQFN56

这些设备共享的主要特点包括:

符合JEDEC标准

动态RDS(on)eff生产测试

市场领先的稳健设计,宽栅极安全裕度,瞬态过电压能力

极低的逆向恢复电荷

减少交叉损耗

目标应用

72 mΩ FET的优化设计适用于数据通信、广泛的工业、光伏逆变器、伺服电机、计算系统和普通消费类应用。

150、240和480 mΩ FET的优化设计适用于功率适配器、低功率开关电源、照明和低功率消费类应用。

供货情况

所有行业标准设备目前提供样品,可以在此处申请:https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是全球GaN革命的领导者,为高电压功率转换应用设计和制造高性能、高可靠性的GaN半导体。Transphorm拥有庞大的功率GaN知识产权组合,包括超过1000个自有或授权专利,生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高电压GaN半导体器件制造商。公司的垂直一体化器件商业模式利于每一个开发阶段的创新,包括设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新推动电力电子技术突破了硅材料的局限,实现了99%以上的效率,使功率密度提高50%,系统成本降低20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市,在戈莱塔和日本会津设有制造业务。欲了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。敬请关注我们的Twitter@transphormusa和微信@ Transphorm_GaN。

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