新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK)封装的650V SuperGaN®场效应晶体管(FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。 

(资料图片仅供参考)

TP65H050G4BS通过了JEDEC认证，为设计者和制造商提供了多项优势，赋能他们开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率（数千瓦到几千瓦）系统。它具有Transphorm一流的可靠性、栅极稳健性(±20 Vmax)和抗硅噪声阈值(4V)，以及氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用较大的D2PAK来满足更高的功率和表面贴装封装需求。与PQFN封装相比，D2PAK可以实现更好的热性能，同时帮助用户通过单一的制造流程提高PCB组装效率。 

D2PAK可作为分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC无桥图腾柱功率因素校正(PFC)评估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它还可以切换至1.2kW同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板，以驱动多千瓦功率。 

Transphorm全球营销、应用和业务发展高级副总裁Philip Zuk表示：“D2PAK是对我们产品组合的一个重要补充。它将我们的SMD产品的可用性拓展至高功率领域，而之前我们用通孔器件支持这些应用。客户可获得我们氮化镓平台的多项优势，如熟悉的TO-XXX封装消除了设计挑战、简化了系统开发并加快了产品上市速度。” 

Transphorm是当前提供标准TO-XXX封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是，鉴于其固有的栅极损坏敏感性，这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。 

产品供应

上述器件和评估板可通过下述链接在Digi-Key和Mouser上购买：

TP65H050G4BS FET：Digi-Key / Mouser

2.5 kW评估板(TDTTP2500B066B-KIT)：Digi-Key / Mouser

1.2 kW 评估板 (TDHBG1200DC100-KIT)：Digi-Key / Mouser

关于Transphorm 

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。 

原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20220713005160/en/