东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货。
(资料图片)
与东芝当前的产品TLP3475S相比，TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms，时间为TLP3475S的一半。此外，由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装（最大厚度为1.4mm），TLP3476S的厚度比当前产品减小了20%。这有助于减少需要多个电路板的设备的尺寸。
TLP3476S适用于继电器数量多，并需要更短开关时间的半导体测试设备电路。
应用
- 半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
- 探测卡
- 测量设备
特性
- 小型S-VSON4T封装：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝1.4mm（最大值）
- 高速导通时间：tON＝0.25ms（最大值）
主要规格
（Ta＝25℃）
器件型号 | TLP3476S | |||
封装 | 名称 | S-VSON4T | ||
尺寸（mm） | 1.45×2.0（典型值），厚度＝1.4（最大值） | |||
绝对 最大额定值 | 断态输出端电压VOFF（V） | 60 | ||
通态电流ION（A） | 0.4 | |||
通态电流（脉冲）IONP（A） | 1.2 | |||
工作温度Topr（℃） | -40至110 | |||
耦合电气 特性 | 触发LED电流IFT（mA） | 最大值 | 3.0 | |
导通电阻RON（Ω） | 典型值 | 1.1 | ||
最大值 | 1.5 | |||
电气特性 | 输出电容COFF（pF） | 最大值 | 20 | |
开关特性 | 导通时间tON（ms） | @RL＝200Ω、 VDD＝20V、 IF＝5mA | 最大值 | 0.25 |
关断时间tOFF（ms） | 0.2 | |||
隔离特性 | 隔离电压BVS（Vrms） | 最小值 | 500 | |
库存查询与购买 | 在线购买 | |||
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