(相关资料图)

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅使用硅基解决方案的数据中心,配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QCx VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)结构还具备其他优势,例如出色的浪涌电流耐受能力,从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性,使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中,以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商,声誉良好,值得设计人员信赖。

这款SiC肖特基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装,可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。

Nexperia SiC产品组高级总监Katrin Feurle表示:“在当前可用的解决方案中,我们提供的高性能SiC肖特基二极管表现优异,对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强,我们正致力于为市场带来更多选择和便利性,以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。”

Nexperia计划不断增加其SiC二极管产品组合,包括工作电压为650 V和1200 V、电流范围为6-20 A的和车规级器件。新款SiC二极管现可提供样品,并于近日开始量产。

如需进一步了解Nexperia的新款650 V SiC肖特基二极管,请访问:www.nexperia.cn/sic_diodes

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础器件领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过14,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。

推荐内容