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近日,日本电容器(MLCC)大厂村田制作所宣布,计划在未来八年内对日本国内的金泽村田制作所、仙台村田制作所以及芬兰子公司投入约100亿日元(约5.02亿元人民币),以提高硅电容器产能至现有的两倍。 目前,硅电容器主要应用于医疗设备领域,但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用。村田制作所期望通过投资增产来及时抓住市场需求。硅电容器采用半导体制造工艺制作,其介电层为稳定性更好的硅材料。 与现有的主流电容器相比,硅电容器具有更高的电容密度、可靠性和高频特性等优势,老化时间可长达10年,其额定温度可高达250℃,在恶劣环境下表现更优。然而,当前硅电容器的价格是普通 MLCC 的几十倍,因此其应用范围主要集中在高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。 考虑到硅电容器在轻薄方面具有优势,对于内部空间日益紧张的智能手机而言,硅电容器是一个很好的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至0.05毫米。 今年3月,村田制作所曾宣布,将在2024年之前投资约5000万欧元(约3.92亿元人民币)增加硅电容器产能。此次投资计划将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统,以实现全球化的硅电容器供应。

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