东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的EMI。
(相关资料图)
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance（N）封装。
此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外，新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。
东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线，以降低功率损耗、提高电源效率，并助力改善设备效率。
应用
- 工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源
- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
特性
- 业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | TPH9R00CQ5 | ||
绝对最大 额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 150 | |
漏极电流（DC）ID（A） | TC＝25℃ | 64 | |
结温Tch（℃） | 175 | ||
电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ） | VGS＝10V | 9.0 |
VGS＝8V | 11.0 | ||
总栅极电荷Qg典型值（nC） | 44 | ||
栅极开关电荷QSW典型值（nC） | 11.7 | ||
输出电荷Qoss典型值（nC） | 87 | ||
输入电容Ciss典型值（pF） | 3500 | ||
反向恢复时间trr典型值（ns） | -dIDR/dt＝100A/μs | 40 | |
反向恢复电荷Qrr典型值（nC） | 34 | ||
封装 | 名称 | SOP Advance（N） | |
尺寸典型值（mm） | 4.9×6.1×1.0 | ||
库存查询与购买 | 在线购买 | ||
参考设计：“用于通信设备的1kW非隔离Buck-BoostDC-DC转换器”
参考设计：“采用MOSFET的3相多电平逆变器”
注：
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月，与其他150V产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。
[5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPH9R00CQ5.html
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通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率
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MOSFETs
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TPH9R00CQ5
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
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