第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
华为智能手机业务负责人余承东在8月4日举行的2023华为开发者大会上介绍更新后的操作系统时表示：“我们鸿蒙生态走过了这艰难的四年，我们克服了重重困难，回首望去，轻舟已过万重山，华为的旗舰手机也正走在回归的道路上。”
8月29日，华为悄无声息的扔下了一颗重磅炸弹，华为Mate 60 Pro手机直接上市销售，并且带着大家关切的麒麟芯片回归了，这是自美国制裁以来，华为在智能手机硬件方面的最重要的突破性举动。
(资料图片)
华为Mate 60 Pro手机突发上市，引发巨大关注，人们的目光全部聚焦到搭载的这颗芯片及网络制式上，华为真的突围了?这是一部5G手机吗？麒麟芯片是库存还是新款？
华为官方渠道并未公布搭载了哪款芯片，系统也进行了隐藏。而众多用户称，使用华为Mate 60 Pro手机不显示“5G”标识，其基带版本为21C50B717S000C000/21C50B717S000C000，和此前麒麟芯片的命名规则一致。根据速度测试，搭载4G芯片的华为Mate X3下载速度为100Mbps，iPhone 14 Pro 5G手机下载速度为500Mbps，令人惊喜的是，华为Mate 60 Pro手机测速显示也在500Mbps水平，但我们也只能说是速度类似5G，也有可能是速度更快的4G。
据B站UP主@先看评测视频显示，在要求运营商关闭所谓的5G SA服务后，华为Mate 60 Pro手机网络信号处跳出4G标识，而下行速度也降到了三分之一。说明这妥妥就是一台具备5G速度的手机。
拆机视频显示，华为Mate 60 Pro手机的核心SoC芯片显露出来，丝印清晰显示“HiSilicon”，海思半导体，它回来了。还有代表麒麟9000型号的“Hi36A0”（但麒麟9000s是不同于麒麟9000的一款新芯片），芯片上还有“2035-CN”标识。不过，关于这颗麒麟芯片制程方面，还不得而知。
在性能方面，华为也带来了惊喜。
安兔兔公布这款新机的跑分成绩为 699783 分，该成绩不包括GPU跑分，GPU 部分由于安兔兔还没有适配，暂时还无法运行测试。据安兔兔跑分数据显示，华为Mate60 Pro芯片型号为 Kirin 9000s，CPU采用了2+6+4的12核设计，其中包括两颗 A34 核心，六颗A78AE核心，以及四颗A510核心，最高主频2.62GHz；GPU 型号显示为 Maleoon 910，采用12GB+512GB内存，搭载 HarmonyOS4.0系统。安兔兔表示，这款手机搭载的处理器似乎是新的架构，上述参数是以现阶段能够读取到硬件信息，最终还是要以官方公布的参数为准。
另外，根据Geekbench跑分平台的数据信息显示，华为Mate60 Pro所搭载的这颗芯片最高主频为2.62GHz，这一数据与安兔兔平台所公布的数据是一致的。单核跑分达到了914分，多核达到了2896分。这个跑分成绩与骁龙888相差不大，单核成绩略低于骁龙888，多核成绩略高于骁龙888。
华为麒麟芯片的回归，无疑是中国科技行业的一大喜事。经历了长时间的努力，华为终于成功突破，这对于华为来说，无疑是一份厚重的礼物。
来源：天天IC、新机报告等
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
若您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎联系我们！（见文末）
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中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
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