东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。


(资料图片)

锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。

应用

-    家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。

特性

-    业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V

-    业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V

-    小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）

-    共漏极结构，可方便地用于电池保护电路

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

配置

N沟道共漏极

绝对最大额定值

源极-源极电压VSSS（V）

12

栅极-源极电压VGSS（V）

±8

源极电流（DC）IS（A）

20.0

13.5

电气特性

栅源漏电流IGSS

最大值（μA）

@VGS＝±8V

±1

源极-源极导通电阻RSS(ON)

典型值（mΩ）

@VGS＝4.5V

1.00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1.60

3.1

封装

名称

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

尺寸典型值（mm）

2.74×3，

厚度＝0.085

1.49×2.98，

厚度＝0.11

库存查询与购买

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注：

[1] 截至2023年5月的东芝调查，与相同额定值的产品进行比较。

[2] 已发布产品。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：

SSM14N956L

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM14N956L.html

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SSM14N956L

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.SSM14N956L.html

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

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